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高温纯化炉

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详细介绍

  该装备是将石墨制品、碳毡或SiC粉体等通过高温焙烧和工艺气体定向流动,经过物理扩散、化学反应使杂质元素从基体中排出,形成灰分含量低(5ppmw)、金属含量降到PPB数量级,从而达到半导体晶体生长对石墨品质(或粉体原料)要求的工艺过程。 
技术参数
       最高温度: 2500℃     常用工作温度:2200℃
       温度均匀度:≤±5℃   仪表控温精度:±1℃
       抽真空时间:≤120min

 

有效工作空间( mm) 最高温度(℃)
840-840-660 2200
Φ1380-900 2500
Φ1300-820 2500
Φ1300-1050 2500
Φ1400mm-1050 2500
Φ1400mm-2000 2500
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暂未实现,敬请期待
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