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硅片及出厂标准
 

 

Material Property

材质

Poly 156*156/ø220

156M

Conduction Type

导电类型

P

P

Dimensions

硅片边长

156*156±0.5mm

Dopant

掺杂剂

B

Diaginals

对角线

219.2±0.5mm

Small grain

晶粒大小

≤10/cm2

TV

厚度

200±20μm

Resistivity

电阻率

1~3 Ωcm

Saw Mark

线痕

≤15μm

TTV

总厚度差异

≤25μm

Warp

翘曲度

≤30μm

Oxygen Concentration

氧含量

≤5×1017atoms/cm3

Life Time(us)

少子寿命

2us

Carbon Concentration

碳含量

≤7×1017 atoms/cm3

Chamfer size

倒角大小

1~2mm

Indent

缺口

Not allowed

不可有

Pinhole

孔洞

Not allowed

不可有

Crack

裂纹

Not allowed

不可有

Bright Point Edge

小亮边

Length ≤1/2 of slice dimension, width≤1/3 of slice thickness

长度硅片边长的1/2,宽度片厚的1/3

Edge Chip

崩边

Each edge chip lies within the following criteria: width≤0.2mm, extension≤0.5mm; total number of chips on a single slice≤2, spacing≥30mm

单面崩边宽度0.2mm,延伸0.5mm,每片总数量≤2个,间隔30mm

Surface Condition

表面质量

No obvious saw mark with the naked eye, no obvious tactility; no pit, no glue residues; surface as cleaned, no abnormal spot or stain

硅片表面不允许有明显刀痕,手感不明显,无凹坑;无硅胶残留;表面无沾污和异常斑点

文字 【 】  
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